【摘 要】
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基于反偏雪崩击穿的发光原理，按照Chartered 0．35μm标准CMOS工艺要求，设计并制作了一种Si基光发射器件。在室温下对器件特性进行了初步测试，正向导通电压为0．75V，反向击穿电压为8．4
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基于反偏雪崩击穿的发光原理，按照Chartered 0．35μm标准CMOS工艺要求，设计并制作了一种Si基光发射器件。在室温下对器件特性进行了初步测试，正向导通电压为0．75V，反向击穿电压为8．4V，能够在一个较宽的电压范围（8．4～12V）内稳定工作。总结了工艺对器件电学特性的影响，并将该器件结构与Snyman等人研究的器件结构进行了比较分析。该器件较强的边缘发光在平面结构的Si基片上集成光互联系统中将会有一定的应用价值．
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