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在洁净的P型Si片上通过旋涂法组装了单层有序排列的聚苯乙烯微球（Polystyrenespheres，PS）阵列模板，然后在PS模板上旋涂1层ZnO先驱薄膜，清洗掉PS模板，制得周期性ZnO先驱薄膜点阵，再通过水热法生长ZnO纳米棒。采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）对样品进行表征，结果显示ZnO薄膜为柱状ZnO阵列，基于Si衬底沿c轴择优生长。以150W氙灯为模拟光源，照射Si／ZnO异质结太阳能电池器件，通过万用电表测试其伏安特性。性能最好的样品的光电转换效率为1．23％，填充因子为62％。