论文部分内容阅读
以AlN作为靶材，使用射频磁控溅射法在Si（100）和玻璃衬底上，在纯氮气气氛条件下制备得到AlN薄膜，并研究了衬底温度对溥膜的结构，形貌和性质的影响．实验表明，衬底温度为370℃的条件下制备的AlN溥膜具有C轴择优取向，薄膜表面均匀、致密和平整，均方根粗糙度为4．83nm．随着基片温度的增加，溥膜的折射率增加，对应着薄膜从非晶态到晶态过程的演变．