【摘 要】
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采用光电化学腐蚀的方法在腐蚀电压为1.3 V,腐蚀液配比为HF(40%):C2H5OH(99%):H2O=1:7:1(体积比)和卤素灯为光源的条件下获得了结构整齐、孔道均匀的多孔硅阵列。研究表明,随
【机 构】
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西南科技大学材料科学与工程学院,中国工程物理研究院激光聚变研究中心
【基金项目】
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西南科技大学龙山人才科研支持计划(18LZX438)
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采用光电化学腐蚀的方法在腐蚀电压为1.3 V,腐蚀液配比为HF(40%):C2H5OH(99%):H2O=1:7:1(体积比)和卤素灯为光源的条件下获得了结构整齐、孔道均匀的多孔硅阵列。研究表明,随着电压的增大,孔壁侧蚀严重,孔壁有分叉现象;随着HF浓度的增加,制备的多孔硅阵列孔深增加,腐蚀速度增加;光源的不同会导致孔道内部均匀程度的不同。最后得出了最佳的刻蚀参数条件,得到了长径比大于50,孔道结构外壁均匀光滑的多孔硅阵列。
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