【摘 要】
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富士通研究所在“第13届半导体封装技术展”上,参展出了不使用焊锡,在低温(225℃)下使铜凸点进行固相扩散的三维封装芯片连接技术,并展出了采用该技术进行CoW(ChiponWafer)连
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富士通研究所在“第13届半导体封装技术展”上,参展出了不使用焊锡,在低温(225℃)下使铜凸点进行固相扩散的三维封装芯片连接技术,并展出了采用该技术进行CoW(ChiponWafer)连接的300mm晶圆。目前,CoC(ChiponChip)等三维封装的芯片连接技术大多采用焊锡凸点,但难以在确保底部填充所需凸点高度的同时实现窄间距,因为焊锡凸点之间会相
Fujitsu Laboratories at the “13th Semiconductor Packaging Technology Exhibition” exhibited at a low temperature (225 ℃) to make solid-state diffusion of copper bump three-dimensional packaging chip connection technology, and exhibited the This technology is used for CoW (ChiponWafer) connected 300mm wafer. At present, most 3D chip packaging technologies such as CoC (ChiponChip) use solder bumps. However, it is difficult to achieve a narrow pitch while ensuring the bump height required for underfill,
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