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利用离子束溅射镀膜设备研究了溅射SiO2薄膜的沉积速率与工艺参数(离子束能量、离子束流、氧气流量和靶基距)之间的关系以及薄膜均匀性修正技术。实验结果表明:SiO2薄膜沉积速率随着离子束能量与离子束流增加而增大,随着氧气流量的增加先减小后增大;采用修正板技术后薄膜均匀性明显提高。
离子束溅射镀膜设备及工艺技术研究
【摘 要】
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利用离子束溅射镀膜设备研究了溅射SiO2薄膜的沉积速率与工艺参数(离子束能量、离子束流、氧气流量和靶基距)之间的关系以及薄膜均匀性修正技术。实验结果表明:SiO2薄膜沉积
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十八研究所
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
：
2019年4期
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