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源于AlGaN／GaNHEMT器件的大量测试分析发现，栅脉冲条件下漏极电流比直流情况下减小了47％；随着信号频率的改变，漏极电流按脚μnCur[α＋（0. 13＋0. 64f）VGS ＋ （0. 13＋0. 32 f）VGS^2]（VGS-Vth）^2/L的规律变化；脉冲信号宽度对漏电流崩塌影响较小．基于实验结果的理论分析认为，电子从栅极注入到栅漏之间并被表面态所俘获，在沟道中形成增加的耗尽层，使得沟道二维电子气浓度减小，从而导致形成电流崩塌效应的主要原因之一．该结论有助于AlGaN HEMT器件脉冲条件