【摘 要】
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基于密度泛函理论,本文通过OTFG赝势方法计算了本征β-Ga2O3以及Cu-N共掺后β-Ga2 O3的晶格常数、电子结构以及光学特性.计算结果表明本征β-Ga2O3的禁带宽度为4.5 eV;Cu和N掺入β-GaO3后属于受主杂质,并且引入了深受主能级,这表明Cu-N共掺后β-Ga2 O3变为p型半导体材料;光学性质计算结果表明本征β-Ga2 O3的静介电函数为2.5,掺杂后β-GaO3的静介电函数增大,对电荷的存储能力增强;此外,Cu-N的共掺对β-Ga2 O3的吸收系数、反射率在能量较低的区域的影响较大
【机 构】
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贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;教育部半导体功率器件可靠性工程研究中心,贵阳550025;教育部半导体功率器件可靠性工程研究中心,贵阳550025;贵州财经大学信息学院,贵阳55002
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基于密度泛函理论,本文通过OTFG赝势方法计算了本征β-Ga2O3以及Cu-N共掺后β-Ga2 O3的晶格常数、电子结构以及光学特性.计算结果表明本征β-Ga2O3的禁带宽度为4.5 eV;Cu和N掺入β-GaO3后属于受主杂质,并且引入了深受主能级,这表明Cu-N共掺后β-Ga2 O3变为p型半导体材料;光学性质计算结果表明本征β-Ga2 O3的静介电函数为2.5,掺杂后β-GaO3的静介电函数增大,对电荷的存储能力增强;此外,Cu-N的共掺对β-Ga2 O3的吸收系数、反射率在能量较低的区域的影响较大,而对能量较高的区域影响较小.
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