【摘 要】
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用聚焦离子束混合技术选择形成了线宽1μm的金属硅化物微细图形。实验表明镍硅化物主要是由在离子作用下引起的硅原子向金属膜的输运过程形成的,线条的高度随离子剂量的平方
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用聚焦离子束混合技术选择形成了线宽1μm的金属硅化物微细图形。实验表明镍硅化物主要是由在离子作用下引起的硅原子向金属膜的输运过程形成的,线条的高度随离子剂量的平方根线性增加,适当的后退火过程将大大降低离子束混合形成镍硅化物的电阻率、而达到固相反应形成的镍硅化物相同的水平。
Focused ion beam mixing technique was used to select the metal silicide fine pattern with a line width of 1μm. Experiments show that the nickel silicide is mainly formed by the transport of silicon atoms to the metal film caused by ions. The height of the lines increases linearly with the square root of the ion dose. Appropriate post-annealing process will greatly reduce the ion beam mixing to form nickel The resistivity of the silicide reaches the same level as the nickel silicide formed by the solid phase reaction.
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