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直拉法易于制备大直径单晶，但在其拉制过程中，晶体生长系统中的熔体会产生自然对流、毛细对流以及强迫对流。在上述三种熔体对流的相互作用下，会使晶体中的氧、碳等杂质产生不均匀分布而影响晶体质量。通过在熔体空间中引入磁场可以有效抑制熔体各种对流，应用于硅单晶生长系统的磁场有横向磁场、纵向磁场和勾形磁场，其中勾形磁场在控制大直径硅单晶中的氧等杂质的含量以及径向分布均匀性方面效果较好。