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介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET.
4H-SiC MESFET器件工艺
【摘 要】
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介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET
【机 构】
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南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2007年z1期
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