纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂

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【摘要】

：

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片(100)上制备Zn薄膜,然后对Zn薄膜进行氧化、热处理获得纳米ZnO薄膜.对在硅片上制备的Zn薄膜一次性进行高温掺杂、氧化获得纳米ZnO∶P和ZnO∶B薄

【作者】

：

李健宋淑芳季秉厚

【机构】

：

内蒙古大学理工学院

【出处】

：

真空科学与技术

【发表日期】

：

2002年2期

【关键词】

：

真空蒸发纳米ZNO薄膜液态源掺杂氧化氧化锌薄膜纳米半导体薄膜 Vacuum evaporation Nanometer ZnO film Liquid

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用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片(100)上制备Zn薄膜,然后对Zn薄膜进行氧化、热处理获得纳米ZnO薄膜.对在硅片上制备的Zn薄膜一次性进行高温掺杂、氧化获得纳米ZnO∶P和ZnO∶B薄膜.研究不同氧化、掺杂温度和时间对薄膜结构、电学性能的影响.结果表明:氧化温度和时间对ZnO薄膜结构影响较大,液态源掺P可明显改善纳米ZnO薄膜的导电性能、结构特性和化学组分.

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