掺稀土离子的电子俘获材料

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kcl770514

【摘要】

：

可利用不等价离子取代法或高能射线辐照法制备电子俘获材料,如长余辉发光材料znO-SiO2-B2O3-MnO、CaS:Eu2+,Tm3+、CaGa2S4:Eu2+,Ho3+和固体剂量材料Zn0.96(BO2)2:0.04Tb,Sr0.

【作者】

：

苏锵李成宇王静李娟张彦立郭崇峰吕玉华

【机构】

：

中国科学院长春应用化学研究所,中国科学院长春应用化学研究所,国家计量研究院,中山大学光电子材料与技术国家重点实验室

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

稀土电子俘获材料缺陷 rare earth electron trapping material defect

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可利用不等价离子取代法或高能射线辐照法制备电子俘获材料,如长余辉发光材料znO-SiO2-B2O3-MnO、CaS:Eu2+,Tm3+、CaGa2S4:Eu2+,Ho3+和固体剂量材料Zn0.96(BO2)2:0.04Tb,Sr0.93Dy0.07B4O7等.利用俘获在缺陷中的电子-空穴对的复合,并把能量传递给Eu2+或Mn2+等激活离子而产生长余辉发光或热释光.它们将在弱光照明与显示,信息存储和辐射治疗与探测、监控等方面获得应用.

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