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(Zn,Nb)掺杂SnO2压敏材料的电子特性
(Zn,Nb)掺杂SnO2压敏材料的电子特性
来源 :压电与声光 | 被引量 : 0次 | 上传用户:andykoy
【摘 要】
:
依据缺陷势垒模型选取Zn^2+和Nb^5+复合掺杂的SnO2陶瓷进行研究,测量了材料的密度、失重率等物理性质和非线性系数、电流-电压(I-V)关系曲线等电子性质,利用低电流区电流密度与电场(logJ-E)的线性关系定性地
【作 者】
:
王勇军
陈洪存
【机 构】
:
山东大学物理系
【出 处】
:
压电与声光
【发表日期】
:
2000年4期
【关键词】
:
压敏材料
缺陷势垒模型
二氧化锡
掺杂
varistor material
defect barrier model
nonlinear cofficient
【基金项目】
:
山东省自然科学基金资助项目
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依据缺陷势垒模型选取Zn^2+和Nb^5+复合掺杂的SnO2陶瓷进行研究,测量了材料的密度、失重率等物理性质和非线性系数、电流-电压(I-V)关系曲线等电子性质,利用低电流区电流密度与电场(logJ-E)的线性关系定性地讨论了势垒高度与非线性之间的关系。
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