切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
计算教学因创新而焕发新的活力
计算教学因创新而焕发新的活力
来源 :科技信息(科学教研) | 被引量 : 0次 | 上传用户:soonercome
【摘 要】
:
使我们的计算教学充满生机和活力,是广大一线教师所面临的问题。本文将就如何激活计算数学课堂浅谈自己的一点认识和体会。
【作 者】
:
李娟
【机 构】
:
济南市文庄小学
【出 处】
:
科技信息(科学教研)
【发表日期】
:
2008年25期
【关键词】
:
计算教学
创新
活力
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
使我们的计算教学充满生机和活力,是广大一线教师所面临的问题。本文将就如何激活计算数学课堂浅谈自己的一点认识和体会。
其他文献
怎样给普系的学生讲操作系统
现代社会计算机应用日益广泛,已是生活、工作中必不可少的工具。而目前在大学,非专业的大学生一般只学习简单操作,而象《操作系统》这样重要的课程很少面向他们开设,这无疑给他们
期刊
计算机
操作系统
基层CDC卫生技术服务项目品牌的建设和营销
基层CDC优势卫生技术服务项目是基层CDC的“卫生名片”,应该成为卫生防病事业服务于社会的知名品牌。其意义是卫生技术服务的职业特色,就是预防在先、未病先治。创造优秀服务品
期刊
卫生技术
服务项目
品牌
营销
室温激射应变补偿5.5μm量子级联激光器
利用应变补偿和优化波导结构来提高量子级联激光器的性能,实现了波长为5.5μm量子级联激光器的室温激射.利用双晶X射线衍射实验对材料生长质量进行了检验.对于条宽为20μm,长为2mm
期刊
量子级联激光器
分子束外延
激光器性能
quantum cascade laser molecular beam epitaxy lasing performa
浅谈GIS在水体监测中的应用
采取面向对象软件设计思想,利用网络数据库技术、网络GIS技术等,设计水体监测系统,分析系统的数据库设计和功能结构。
期刊
环境监测
水体污染
水体监测系统
GIS
SCDI结构快闪存储器件Ⅰ:模拟与分析
研制成一种台阶沟道直接注入(SCDI)器件,通过在沟道的中间制作一个浅的台阶来改变热载流子的注入方式,从而获得了高的编程速度和注入效率,降低了工作电压.并对SCDI器件结构和常规
期刊
SCDI
快闪存储器
编程速度
优化
低电压
SCDIflash memoryprogramming speedoptimizationlow voltage
VRML虚拟场景中复杂动画的实现
以Java与VRML的结合为基础,用实例论述了利用Java语言编写程序脚本,通过EAI在VRML场景中实现复杂动画的方法与过程.
期刊
VRML
JAVA
动画
VRML Java animation
关于220KV单主变变电站如何采用备自投方案的探讨
采用备用电源自投装置是提高电力系统供电可靠性的重要措施,本文讨论了单主变的220KV变电站如何采用这一措施,并对存在的问题加以分析、解决。
期刊
单主变
跳闸
备自投
玉米茎腐病菌产生的细胞壁降解酶的致病作用
本文通过酶活分析和超微结构观察证明了玉米茎腐病菌能产生一系列细胞壁降解酶(CWDE),并能明显浸解胚根组织,浸解的组织发生质壁分离及原生质外流。随细胞壁降解酶浓度增加,酶浸解能力
期刊
玉米
茎腐病
细胞壁降解酶
致病
Stalk rotPectinaseCellwalldegrading enzymesPathogenicity
谈异构媒体系统的文件分发系统
随着信息时代科技的飞速发展,计算机网络已经普及到社会生活的每一个角落。随着网络技术的飞速发展,各大网站纷纷通过IP网络提供视频、音频内容的点播、下载等服务平台。本文详
期刊
数字媒体平台
XML
文件分发系统
异构系统
RMI
Digital media platform XML Media Files Distribution S
MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构
用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时二维电子气迁移率分别为1944和11588cm^2/(V·s),
期刊
ALGAN/GAN
高电子迁移率管
MOCVD
功率器件
碳化硅衬底
AGaN/GaN HEMT MOCVD power device SiC substrat
与本文相关的学术论文