【摘 要】
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以ITO导电玻璃衬底,CuSO4、KI为反应溶液,EDTA为络合剂,通过简单的电化学方法分别在40,60,80℃的电沉积温度下成功制备出高定向的γ-CuI薄膜。讨论了不同沉积温度下碘化亚铜
【基金项目】
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国家自然科学基金（61274099）,浙江省创新团队（2011R50012）资助项目
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以ITO导电玻璃衬底,CuSO4、KI为反应溶液,EDTA为络合剂,通过简单的电化学方法分别在40,60,80℃的电沉积温度下成功制备出高定向的γ-CuI薄膜。讨论了不同沉积温度下碘化亚铜薄膜各项性质的差异,作为比较还利用化学沉积方法在室温下合成了碘化亚铜粉末。利用X射线衍射图（XRD）进行结构分析,场发射扫描电子显微镜（SEM）进行形貌观察。实验结果表明：碘化亚铜薄膜由三角形纳米片构成,沿（111）晶相择优生长。随着电沉积温度的升高,颗粒的尺寸从2μm减小到500 nm。不同电沉积温度制备出的碘化亚铜薄
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