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采用金属催化化学刻蚀法(MCCE),以金属Ag为催化剂,在HF与H 2O 2体系中通过交替刻蚀在P(111)硅衬底上制备出锯齿形硅纳米线阵列。利用扫描电子显微镜对硅纳米线的形貌进行了表征,研究了HF浓度与H 2O 2浓度对纳米线刻蚀方向的调控作用。选取不同的HF与H 2O 2浓度配比,分别对硅基底各向同性刻蚀与各向异性刻蚀进行调控,使得刻蚀方向对溶液浓度的变化能够快速响应。在溶液Ⅰ([HF]=2.3 mol/L,[H 2O 2]=0.4 mol/L)与溶液Ⅱ([HF]=9.2 mol/L,[H 2O 2]