【摘 要】
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采用超声电沉积-热处理两步法和超声共沉积一步法在钼基底上制备了致密的cu—In合金薄膜。分别用SEM，EDS和XRD分析了Cu／In双层膜以及Cu-In合金膜的表面形貌、成分及相组成。结
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采用超声电沉积-热处理两步法和超声共沉积一步法在钼基底上制备了致密的cu—In合金薄膜。分别用SEM，EDS和XRD分析了Cu／In双层膜以及Cu-In合金膜的表面形貌、成分及相组成。结果表明：采用不同的电沉积工艺参数可以调节合金膜的Cu／In比率；超声电沉积可以得到晶粒细小、均匀致密的Cu，In以及Cu-In合金薄膜；两步法中超声电沉积得到的双层膜为Culn和Cu或In相，经过热处理后转变为Cu11 In9和Cu或In相；一步法超声共沉积得到的合金膜主要为CuIn相，根据Cu／In比率的不同，还会含有少
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