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采用扫描隧道显微镜(STM)在3-phenyl-1-ureidonitrile (PUN)有机单体薄膜上进行了超高密度信息存储的研究.通过在STM针尖和高定向裂解石墨(HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲，在薄膜上写入了一个稳定的5×6信息点阵，信息点的大小是0.8?nm.电流-电压(I-V)曲线表明，施加电压脉冲前后薄膜的导电性质发生了变化.信息点的写入机制可能是强电场作用下引发的PUN分子的局域聚合，从而导致薄膜由高电阻态向低电阻态转变.