【摘 要】
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文章用10Mev质子和钴60γ射线对CCD(Charge Coupled Device)进行了辐照试验,分别计算得到了电离总剂量和位移效应的失效剂量.通过分析比较得出:在空间环境中,相对于电离总剂
【机 构】
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中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心,北京,100029
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文章用10Mev质子和钴60γ射线对CCD(Charge Coupled Device)进行了辐照试验,分别计算得到了电离总剂量和位移效应的失效剂量.通过分析比较得出:在空间环境中,相对于电离总剂量效应而言,位移效应对CCD的损伤更为严重.因此,进行CCD辐射效应评估时,不仅要考虑电离总剂量效应,还要考虑位移效应.文章还探讨了评估CCD抗位移损伤能力的方法.
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