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利用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Co薄膜，然后在管式炉中通入流动的氨气在950oC对薄膜进行氨化，反应后成功制备出大量GaN纳米线。采用X射线衍射（XRD）、傅里叶红外吸收光谱（FTIR）、扫描电子显微镜（SEM）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）对样品进行分析。结果表明，采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线，纳米线的直径在50nm～150nm范围内，长度为几十微米。