【摘 要】
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采用VHF-PECVD技术制备了两个气压系列不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明：沉积气压Pg=70 Pa时,生长指数β
【机 构】
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商丘师范学院物理与信息工程系,郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
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采用VHF-PECVD技术制备了两个气压系列不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明：沉积气压Pg=70 Pa时,生长指数β=0.22±0.023,对应有限扩散生长模式;Pg=300 Pa时,β=0.81±0.099,其超出标度理论中β最大值为0.5范围,出现异常标度行为,表明：在微晶硅薄膜生长中还要考虑其它粗糙化因素（如阴影作用会增加薄膜表面的粗糙化程度,使生长指数β增大）.
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