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为确定某种新型刻蚀机最优的品圆与喷淋头问距（Gap），通过CFD仿真分析气体在不同Gap腔室内的物质输运分布，并结合乙醇环境下HF酸刻蚀SiO2工艺的物理化学过程，建立了刻蚀速率估算公式，以此分析了不同Gap腔室的刻蚀速率及刻蚀均匀性，最终获得了具有最佳刻蚀效果的腔室结构。研究分析表明：Gap较小时晶圆中心刻蚀速率偏高，Gap较大时晶圆边缘刻蚀速率偏高；平均刻蚀速率随着Gap的增大逐渐降低，而刻蚀不均匀度随Gap增大先减小后增大，在Gap取值70mm时刻蚀均匀性最佳且刻蚀速率较高。