【摘 要】
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目的:了解局部牙菌斑氟的摄取与代谢情况.方法:在氢离子敏场效应管(H+-ISFET)的基础上研制出的一种新型的氟离子敏场效应管传感器(F--ISFET),与毛细管盐桥的Ag/AgCl参比电极
【机 构】
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北京大学口腔医学院牙体牙髓科,中国科学院电子学研究所
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目的:了解局部牙菌斑氟的摄取与代谢情况.方法:在氢离子敏场效应管(H+-ISFET)的基础上研制出的一种新型的氟离子敏场效应管传感器(F--ISFET),与毛细管盐桥的Ag/AgCl参比电极复合在一起,测定唾液和微量(微升级)牙菌斑液中的游离氟浓度,进行了性能测试和初步的定量检测.结果:浓度检测范围:10-6～10-1mol/L,线性检测范围:10-6～10-4mol/L,灵敏度:30～55 mV/pF,响应时间小于30 s,线性相关系数r2为0.97,回收率为:94%～104%.测定唾液样本和菌斑液样本
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