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利用我们自己研制的磁约束直流等离子体设备,在低气压(〈1Torr)下,用Ar+H2+CH4的混合气体在基片上进行了沉积金刚石薄膜的工艺研究,利用扫描电镜和拉曼光谱对不同的进气方式所制备出的金刚石薄膜的形貌和质量进行了比较,结果表明,当在基片表面附近引入碳源气体和大约50%氢气时,可以大大提高薄膜质量。