【摘 要】
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根据普适于任意阱数的方波折射率分布的多量子阱光波导的模场分布函数和模特征方程，分析了在以ＧｅＳｉ／Ｓｉ多量子阱为波导芯、Ｓｉ为覆盖层的光波导结构中．Ｇｅ含量、周期数、占空度、厚度、折射率
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,西安交通大学电子工程系
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根据普适于任意阱数的方波折射率分布的多量子阱光波导的模场分布函数和模特征方程，分析了在以ＧｅＳｉ／Ｓｉ多量子阱为波导芯、Ｓｉ为覆盖层的光波导结构中．Ｇｅ含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播常数的影响．并结合吸收特点对ＭＱＷ吸收层结构进行优化设计．
According to the mode field distribution function and the mode characteristic equation of MQW optical waveguide with square wave refractive index distribution suitable for arbitrary well number, the optical waveguide with GeSi / Si multiple quantum well as waveguide core and Si as cladding layer is analyzed Structure. Ge content, number of cycles, duty cycle, thickness, refractive index distribution and other parameters of the optical waveguide propagation constant. Based on the absorption characteristics, the structure of MQW absorbing layer is optimized.
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