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分析了金硅共晶键合的基本原理,讨论了键合实验的基本工艺,给出了键合的测试结果。这种键合方法键合温度低,键合工艺简单,与器件制造工艺兼容,对工艺环境要求不高,可以得到满意的键合强度,而且成本低,特别适合于已经做过结构的器件键合封接工艺。
用于MEMS器件的单面溅金硅共晶键合技术
【摘 要】
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分析了金硅共晶键合的基本原理,讨论了键合实验的基本工艺,给出了键合的测试结果。这种键合方法键合温度低,键合工艺简单,与器件制造工艺兼容,对工艺环境要求不高,可以得到满
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2006年12期
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