【摘 要】
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为适应光谱分割技术的需求 ,我们采用 In Ga As P/ In P单量子阱外延片 ,用直接耦合的方法将超辐射发光管与半导体光放大器单片集成 ,制得了 1.3μm长波长超辐射集成光源 ,取
【机 构】
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吉林大学电子工程系和集成光电子学国家重点联合实验室!长春130023,吉林大学电子工程系和集成光电子学国家重点联合实验室!长春130023,吉林大学电子工程系和集成光电子学国家重点联合实验室!长春13
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为适应光谱分割技术的需求 ,我们采用 In Ga As P/ In P单量子阱外延片 ,用直接耦合的方法将超辐射发光管与半导体光放大器单片集成 ,制得了 1.3μm长波长超辐射集成光源 ,取得了初步的实验结果 ,验证了这种长波长集成器件的可行性。脉冲输出功率与传统长波长超辐射发光管相比有很大的提高。半导体光放大器的增益达到 19d B。
In order to meet the needs of spectral segmentation technology, we use InGa As P / In P single quantum well epitaxial wafers, the direct coupling method of the superluminescent LED and semiconductor optical amplifier monolithic integrated, made of 1.3μm long-wavelength superradiation integrated Light source, and achieved preliminary experimental results to verify the feasibility of this long wavelength integrated device. Pulse output power and the traditional long-wavelength super-radiation LED has greatly improved. Semiconductor optical amplifier gain reaches 19d B.
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