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本文采用Ｐｄ／ＵＴＳｉＯ２／ｎ－Ｓｉ隧道二极管结构，研制出在室温下空气中，对１５０ｐｐｍ氢气反向电流改变１０倍以上的氢敏器件。
钯／超薄氧化层／硅隧道二极管氢敏器件的研制
【摘 要】
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本文采用Ｐｄ／ＵＴＳｉＯ２／ｎ－Ｓｉ隧道二极管结构，研制出在室温下空气中，对１５０ｐｐｍ氢气反向电流改变１０倍以上的氢敏器件。
【机 构】
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天津大学电子工程系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1997年2期
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