掺杂物对SrTiO_3基半导瓷晶界层电容器影响的研究

来源 :南京化工学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hs20081987
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选择La2O3、V2O5掺杂SrTiO、控制合适的Ti/Sr比、添加适量CuO和AS以及调节最佳工艺参数,系统地研究了它们对SrTiO3试样的还原烧结行为、显微结构和介电性能的影响。实验结果表明:V2O5作为施主掺杂物能较大幅度地降低SrTiO3的还原烧结温度;三价离子掺杂大于五价离子掺杂所需的Ti/Sr比;添加适量的CuO、AS能形成厚度适当的高阻绝缘晶界层。通过实验,我们获得了1300℃还原烧成温度下综合性能佳、复现性好的V2O5掺杂SrTiO3 GBBLC。
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