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利用UHV／CVD技术，在较低的温度下，在阳极氧化形成的双层多孔硅上，成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这为进一步研制SOI材料与器件提供了所需的薄硅外延层。
利用UHV／CVD技术在双层多孔硅上外延硅研究
【摘 要】
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利用UHV／CVD技术，在较低的温度下，在阳极氧化形成的双层多孔硅上，成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这为进一步研制SOI材料与器件提供了所需的薄
【机 构】
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浙江大学材料系，浙江 杭州 310027
【出 处】
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材料科学与工程
【发表日期】
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2000年4期
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