半导体瞬态问题特征变网格有限元法和分析

来源 :高等学校计算数学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xf6088
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The mathematical model of semiconductor device is described by aparabolic-elliptic coupled system. A time-dependent variable grid characteristicfinite element method is introduced and analyzed for the initial boundary valueproblem of this system. The opti
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1引言1990年L.N.Trefethen为度量矩阵的非正规性引入了矩阵的伪谱[1,2].对于任意的ε≥0,矩阵4∈Cn×n的ε-伪谱定义为Aε(A)={z:z∈σ(A+△A),‖△A‖≤ε},其中σ(@)表
1引言考虑下述矩阵方程AX2 + BX + C = 0, (1.1)其中A,B,C为n×n实矩阵,X为n×n未知解矩阵.这类矩阵方程的实际背景是结构系统及振动问题分析[7],与之相关联的是二次
按照电子光学理论,在静电透镜的设计中提出如下具有双目标泛函和微分方程约束的条件变分问题[1]: