【摘 要】
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利用溶胶-凝胶法制备了具有良好表面形貌及c轴择优取向性的（Na,Mg）：ZnO薄膜.重点研究了退火温度对薄膜结构性质的影响.扫描电子显微镜（SEM）图像及X射线衍射（XRD）图谱表明退火温度过
【机 构】
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兰州交通大学电子与信息工程学院,兰州大学物理科学与技术学院,兰州交通大学自动化与电气工程学院
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利用溶胶-凝胶法制备了具有良好表面形貌及c轴择优取向性的（Na,Mg）：ZnO薄膜.重点研究了退火温度对薄膜结构性质的影响.扫描电子显微镜（SEM）图像及X射线衍射（XRD）图谱表明退火温度过高或过低都不利于薄膜良好表面形貌的形成及c轴择优取向生长.在一定范围内退火温度的升高,会使薄膜晶粒尺寸逐渐增大,薄膜表面形貌及c轴择优取向性得到改善,560℃为实验条件下的最佳退火温度.样品的荧光光致发光（PL）谱表明经560℃退火后的（Na,Mg）：ZnO薄膜具有很少的缺陷及较高的结晶质量,是良好的紫外发光材料.
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