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为了满足IC设计中对基准电源低功耗、低温度系数、高电源抑制比的要求，设计一种带隙基准电压源电路。在对传统带隙基准结构分析的基础上，该电路重点改善基准源中运算放大器的性能，采用台积电0.35μm CMOS工艺库设计并绘制版图。仿真结果表明，温度在0-100℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数小于10ppm／℃，并且具有低功耗、高电源抑制比的特性。