0.5μm GaAs pHEMT射频矩阵开关

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基于0.5μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种应用于950~2 150MHz的4×2射频矩阵开关。该矩阵开关有四路输入两路输出,通过控制片内集成的4比特数字逻辑解码器电路,两路输出端口可以任意选择4路输入射频信号中的任意两路信号,或者同时选通一路信号,并在输出端集成负载检测功能。开关的工作电压为5V,在950~2 150MHz的频率范围内,其插入损耗低于5.6dB,隔离度高于37dB,每个输入和输出端口的回波损耗大于13dB,功率容量为19.4dBm,开关的最大功耗为8mW,适合多模多频段射频前端的应用。 Based on the 0.5μm GaAs pHEMT process, a 4 × 2 RF matrix switch for 950 ~ 2 150MHz is designed. The matrix switch has four inputs and two outputs. By controlling a 4-bit digital logic decoder circuit integrated in the chip, the two output ports can arbitrarily select any two signals of four input RF signals or simultaneously select one signal , And integrated load detection at the output. Switching voltage of 5V, 950 ~ 2 150MHz frequency range, the insertion loss of less than 5.6dB, isolation of more than 37dB, each input and output port return loss greater than 13dB, the power capacity of 19.4dBm, The maximum power consumption of the switch is 8mW, which is suitable for multi-mode and multi-band RF front-end applications.
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