【摘 要】
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针对高功率半导体激光芯片工作温度升高易引起芯片性能退化和失效问题,首先理论分析了工作温度对内量子效率的影响机理.其次,为量化温度影响芯片稳定性的主要因素,自主搭建高
【机 构】
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中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西 西安 710119;中国科学院大学, 北京 100049;中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,
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针对高功率半导体激光芯片工作温度升高易引起芯片性能退化和失效问题,首先理论分析了工作温度对内量子效率的影响机理.其次,为量化温度影响芯片稳定性的主要因素,自主搭建高功率半导体激光列阵芯片测试系统,研究15～60℃半导体激光列阵芯片的温度特性,分析了5种能量损耗分布及其随温度的变化趋势.实验结果表明,当温度由15℃升高至60℃,载流子泄漏损耗占比由2.30％急剧上升至11.36％,是造成半导体激光芯片在高温下电光转换效率降低的主要因素.最后进行了外延结构的仿真优化,仿真结果表明,提高波导层Al组分至20％,能有效限制载流子泄漏,平衡Al组分增加带来的串联电阻增大问题,可以获得高效率输出.该研究对高温下半导体激光芯片的设计具有重要的指导意义.
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