【摘 要】
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采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积（APCVD）工艺在电化学腐蚀的多孔硅衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响.实验结果表
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
【基金项目】
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国家部委预研项目资助（51308030201）
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采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积（APCVD）工艺在电化学腐蚀的多孔硅衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响.实验结果表明,当多孔硅孔隙率较低时,得到的是含有SiC（111）晶粒的多晶硅薄膜,随着孔隙率的增加,生长薄膜由富碳多孔SiC向多晶SiC薄膜过渡,表面平整度增加,并具有〈111〉晶向择优生长的特点.
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