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本文研究了生长温度与退火温度对钛酸铋薄膜晶相形成的影响,在适当的组分下,550℃低温生长了α轴取向的 Bi4Ti3O12单晶体薄膜。高温退火（700～800℃）有利于多晶无取向或 c 轴取向的 Bi4Ti3O12薄膜的形成。
生长温度与退火温度对钛酸铋薄膜晶相形成的影响
【摘 要】
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本文研究了生长温度与退火温度对钛酸铋薄膜晶相形成的影响,在适当的组分下,550℃低温生长了α轴取向的 Bi4Ti3O12单晶体薄膜。高温退火（700～800℃）有利于多晶无取向或 c 轴取向
【机 构】
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山东大学,山东省科学院测试中心
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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1993年04期
【基金项目】
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国家863计划经费资助
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