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利用射频溅射工艺，在低阻硅P—Si（111）基片上分别制备Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）和PZT／LaNiO3（LNO）薄膜，样品在大气中进行650℃／15min后热退火处理．用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）等手段分析不同衬底与PZT薄膜之间的界面对薄膜微观结构和铁电性能的影响，实验结果分析表明，即使溅射工艺相同，在P—Si和LNO／p—Si上外延生长的PZT薄膜结晶取向、晶颗大小和表面平整度存在很大差异，薄膜与底电极间的界面明显地影响PZT薄膜的微观结构和铁电性能．