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本文基于通过化学气相沉积法在导电基质上合成一维结构的氧化锡(SnO2)纳米锥阵列,测试了一维结构氧化锡(SnO2)纳米锥阵列的气敏性质。结果表明,这种结构的氧化锡(SnO2)纳米锥阵列,由于其优良的构造,对于不同浓度的丙酮、乙醇等气体有着良好的响应,是一种具有良好的气敏性能的半导体材料,有着很大的研究价值。