【摘 要】
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对单层MoS2与纳米级别厚度的Bi2Se3薄片进行组合构建超薄异质结,利用HR-Evolution显微共聚焦拉曼光谱系统,结合反射、拉曼和荧光光谱学测试技术,对Bi2Se3/MoS2异质结中的激子
【机 构】
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河北大学物理科学与技术学院,深圳大学物理与光电工程学院,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金青年科学基金项目(11504077),河北大学研究生创新资助项目(hbu2020ss077),河北大学研究生创新资助项目(hbu2019ss033),河北大学大学生创新资助项目(2019150)
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对单层MoS2与纳米级别厚度的Bi2Se3薄片进行组合构建超薄异质结,利用HR-Evolution显微共聚焦拉曼光谱系统,结合反射、拉曼和荧光光谱学测试技术,对Bi2Se3/MoS2异质结中的激子发光、异质结中的界间相互作用和电荷转移等行为进行了深入而系统的研究.首先,利用干法转移技术将不同厚度的Bi2Se3薄片转移到CVD生长的单层MoS2上构建Bi2Se3/MoS2异质结.然后,利用反射光谱和拉曼光谱技术探测异质结的平整度和界面耦合质量,表明异质结的2种材料发生堆叠后具有良好的平整度,按照不同厚度对白
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