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依据金属基化学气相渗透法（Metal Organic Chemical Vapor Infiltration．MOCVI）工艺理论基础，采用MOCVI法制备出SiO2／SiO2复合材料，并分析了栽气流量、先驱体JH20温度和沉积温度对氧化硅基体渗透速率和SiO2／SiO2（石英玻璃）复合材料显微结构的影响。结果表明，优化条件为：JH2O的温度为60℃，载气流量为500mL／min，氧气流量为15mL／min。沉积温度为600℃。