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分析了掺过渡金属离子的发光功能材料的发光性能对化学环境变化的敏感性，由于源于过渡金属离子d电子没有像稀土离子f电子那样受到外层电子严格的屏蔽，所导致的声子-电子耦合强度大，因而就对母体材料化学环境更敏感。文章详细地介绍了化学结构类型、配位体间相连方式及其晶格半径对掺Mn^2＋发光材料发光性能的影响，分析晶体场强度参数（10Dq）对含Cr^3＋材料室温自发辐射^4T2g→^4A2g和激发态吸收4T2g→^4T1g（^4F）跃迁最大能量差的影响，探讨了共价性强弱对Os^4＋材料光谱性能的影响。说明了利用掺过渡