【摘 要】
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利用第一性原理赝势平面波方法计算了杂质(X=C,Al)掺杂新型二维材料磷烯的结构参数、能带结构、Mulliken布居分析、差分电荷密度以及光学性质。结果表明杂质掺杂后磷烯材料的
【机 构】
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安顺学院数理学院,安顺学院电子与信息工程学院,安顺学院航空电子电气与信息网络工程中心
【基金项目】
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贵州省科学技术厅,安顺市人民政府,安顺学院联合科技基金资助项目,黔科合LH字(2017)7042号,安顺学院校级学科平台项目,Asxyxkpt201803
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利用第一性原理赝势平面波方法计算了杂质(X=C,Al)掺杂新型二维材料磷烯的结构参数、能带结构、Mulliken布居分析、差分电荷密度以及光学性质。结果表明杂质掺杂后磷烯材料的结构发生了畸变,但是掺杂体系的结构是稳定的。C掺杂后,费米能级进入价带中,带隙变窄,变为0.826 e V的直接带隙;Al掺杂后,体系变为间接带隙半导体,带隙略有展宽,带隙为0.965 eV。Mulliken布居分析和差分电荷密度的分析都表明掺杂后体系的电荷分布发生了转移,C原子附近出现了电荷积累,而Al原子附近出现了电荷消耗。在(
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