高速全耗尽CMOS／SOI2000门门海阵列

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【摘要】

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本文对全耗尽CMOS/SOI 2000门门海进行了研究,阵列采用宏单元结构,每个宏单元包括2×8个基本单元和8条布线通道,其尺寸为:92μm×86μm.2000门门海阵列采用0.8μm全

【作者】

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刘新宇孙海峰海朝和刘忠立吴德馨

【机构】

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中国科学院微电子中心,中国科学院半导体所

【出处】

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电子学报

【发表日期】

：

2001年8期

【关键词】

：

门海阵列薄膜全耗尽SOI CMOS SOI 集成电路 Sea-Of-Array TFDSOI macrocell

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本文对全耗尽CMOS/SOI 2000门门海进行了研究,阵列采用宏单元结构,每个宏单元包括2×8个基本单元和8条布线通道,其尺寸为:92μm×86μm.2000门门海阵列采用0.8μm全耗尽工艺,实现了101级环形振荡器和4～128级分频器电路,在工作电压为5V时,0.8μm全耗尽CMOS/SOI 101级环振的单级延迟为45ps.

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