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Si/Si键合可以在低温下获得高强度、零气泡的键合片,但极难获得无氧化层的键合界面,因此难以应用于光电子领域,本文从理论上研究了Si/Si键合界面氧化层厚度对键合Si/Si p-n结光电特性(电流、带宽和光谱)的影响.通过隧穿率、载流子浓度、电场分布、载流子速率、复合率等参数的变化揭示键合Si/Si p-n结性能影响因素,为超高质量Si基Si雪崩层及高性能Si基雪崩器件的制备提供理论指导.结果表明:随着氧化层厚度的增加,载流子隧穿率变小,p-n结光暗电流降低(光谱响应下降)、复合率下降、载流子在p-n结内