【摘 要】
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本文采用掺钛化学腐蚀法制备出了发光稳定性和均匀性都较好的多孔硅(PS).存放和退火试验表明,光致发光(PL)谱峰位不蓝移,强度不衰减.多孔硅发光稳定性的提高归因于制备过程中
【机 构】
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郑州大学河南省激光应用技术重点实验室,郑州大学河南省激光应用技术重点实验室
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本文采用掺钛化学腐蚀法制备出了发光稳定性和均匀性都较好的多孔硅(PS).存放和退火试验表明,光致发光(PL)谱峰位不蓝移,强度不衰减.多孔硅发光稳定性的提高归因于制备过程中样品表面原位氧和钛的钝化.钛的浓度和腐蚀时间对PL强度有明显影响,最佳钛浓度约为0.08 mol*L-1,最佳腐蚀时间约为20 min.掺钛化学腐蚀法制备的PS的光激发过程符合量子限域机制,而其PL过程却与量子限域模型不符,这表明其光发射过程不是带-带直接跃迁产生的,即存在一个表面态.
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