【摘 要】
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利用金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/ Ni的低温晶化 ,MIC晶化温度能降低到 44 0℃ .采用 XRD、Raman、SEM、XPS等分析手段研究了 Ni-
【机 构】
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利用金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/ Ni的低温晶化 ,MIC晶化温度能降低到 44 0℃ .采用 XRD、Raman、SEM、XPS等分析手段研究了 Ni- MIC多晶硅薄膜的特性 ,对薄膜结构和组成进行了分析 ,对晶化过程的机理进行了讨论
The low-temperature crystallization of a-Si / Ni was studied by using metal induced crystallization (MIC) method. The temperature of MIC crystallization can be lowered to 44 0 C. The effects of temperature, Ni-MIC polycrystalline silicon film characteristics, the film structure and composition were analyzed, the mechanism of the crystallization process are discussed
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