辐射诱发新生儿和成年人T淋巴细胞染色体畸变敏感性的初步比较

来源 :辐射研究与辐射工艺学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhangshun1025

【摘要】

：

探讨了电离辐射诱发T淋巴细胞染色体畸变在新生儿与成年人之间的差异.采用在完全相同条件下用60Coγ射线一次照射离体的新生儿脐带血和成年人静脉血,新生儿照射0.5、1.0、2.0

【作者】

：

杜维霞傅颖华雷淑杰陆雪

【机构】

：

中国疾病预防控制中心辐射防护与核安全医学所

【出处】

：

辐射研究与辐射工艺学报

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

辐射敏感性染色体畸变新生儿成年人淋巴细胞 Radiation Sensitivity Chromosome aberrations Newborns

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探讨了电离辐射诱发T淋巴细胞染色体畸变在新生儿与成年人之间的差异.采用在完全相同条件下用60Coγ射线一次照射离体的新生儿脐带血和成年人静脉血,新生儿照射0.5、1.0、2.0、3.0、4.0、5.0Gy;成年人照射2.0Gy和3.0Gy,常规法分析染色体畸变率.结果表明,60Co γ射线照射2.0Gy和3.0Gy诱发新生儿T淋巴细胞染色体着丝粒畸变率相当于成年人的130%左右,无着丝粒畸变率两者几乎相同.60Co γ射线诱发新生儿T淋巴细胞染色体着丝粒畸变率符合线性2次多项式y=4.8104D2+5.8

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