双层锰氧化物薄膜中的应力效应

来源 :昆明理工大学学报(理工版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:vicky1924
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双层钙钛矿结构的La2-2XSr1+2XMn2O7(X=0.32)单相薄膜生长在具有不同晶格参数的两种衬底上.测量发现,两种衬底上生长的La2-2XSr1+2XMn2O7(X=0.32)薄膜具有迥然不同的金属-绝缘体转变温度TM-I及其他物性.界面应力的研究表明这是衬底晶格常数不同引起膜内应变的结果.在衬底的压应力下,薄膜的电阻-温度曲线的峰值(TM-I)向高温移动且电阻率(ρ)下降;相反,对于衬底张应力下的薄膜,TM-I下降ρ上升.这些结果可以用双交换模型做很好的解释.
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